Con el apoyo del Proyecto del Nuevo Proyecto de Materiales "11th Five Year" National 863, el Proyecto del Equipo de Innovación de "Highly Effective Nitride LED Materials and Chip Technology" fue realizado por el Instituto de Semiconductores de la Academia de Ciencias de China, a través de transferencia, entrenamiento de personal e intercambio internacional y cooperación, etc., para lograr la introducción de tecnología avanzada, digestión, absorción y luego innovación, mejorando así la competitividad internacional de la industria china de iluminación de semiconductores y promoviendo la implementación del proyecto de iluminación de semiconductores de China. El sujeto ha aprobado recientemente la aceptación.
"Innovador equipo de innovación de nitruro LED materiales y tecnología clave chip", en la formación del personal y la formación de equipos y otros aspectos de una exploración positiva, a través del fortalecimiento de la gestión del equipo de innovación científica y tecnológica, la introducción de varios "plan nacional de miles de personas", el ganador de "Cientos de personas" y "jóvenes sobresalientes en el ámbito nacional", entrenó a decenas de jóvenes talentos, formó un centenar de disciplinas, con una capacidad de exploración de vanguardia y una ingeniería, experiencia industrial en el personal de iluminación de semiconductores de alto nivel.
Para la importante demanda de conservación de energía y reducción de emisiones en China, el equipo innovador "Innovative Nitride LED Materials y Chip Key Technologies" ha construido una plataforma de proceso de iluminación de semiconductores flexible completa desde iluminación de semiconductores, equipos principales, extensión de material, desarrollo de chips a alta eficiencia embalaje de energía y análisis de prueba, con capacidades de investigación y desarrollo flexibles y capacidades de demostración de ingeniería.
El equipo de innovación también formó una serie de derechos de propiedad intelectual independientes con importantes resultados de investigación, y desarrolló los estándares técnicos pertinentes. En China, el primer avance en el crecimiento y dopado de material epitaxial semiconductor basado en nitruro, diseño de estructura de chips y validación de mecanismos, pruebas y empaquetado y otras tecnologías clave para lograr más de 150lm / w de eficiencia luminosa LED; preparó con éxito los primeros 300nm de China Los siguientes dispositivos UVLED UV con luz fluorescente a temperatura ambiente, y para lograr la salida de miliwatts de potencia del dispositivo; desarrolló el primer prototipo de 48 MOCVD en China, las pruebas de terceros, el equipo, la extensión del material de nitruro de galio, los indicadores de rendimiento a nivel de equipos MOCVD internacionales similares.
Productos calientes : luz del panel al aire libre , luces colgantes lineales , bahía alta de la potencia 100W , lámpara del almacén , lámpara lineal de la lente esmerilada , barra de iluminación linear suspendida del LED
