Universidad de Illinois en los investigadores de Urbana-Champaign han desarrollado un nuevo enfoque para mejorar el brillo del LED verde y mejorar su eficiencia.
Profesor puede Bayram, profesor ayudante de eléctrico e Ingeniería Informática de la Universidad de Illinois, ha desarrollado un nuevo enfoque para mejorar el brillo y eficiencia de los LEDs verdes. (Todos de origen: Universidad de Illinois)
Usando la tecnología de cristal largo estándar de la industria del semiconductor, los investigadores fabrican cristales de galio (GaN) de nitruro sobre sustratos de silicio que producen luz verde de alta potencia para iluminación de estado sólido.
"Este es un proceso innovador en el que los investigadores tener éxito en la producción de nuevas materias primas en un proceso de silicio CMOS ajustable, que es un nitruro de galio cuadrados (GaN cúbico),", dijo Bayram puede, profesor ayudante de eléctrico e Ingeniería en informática el Universidad de Illinois. ), Este material se utiliza principalmente para el emisor de la onda verde.
El uso de semiconductores para la detección y comunicación para abrir aplicaciones de comunicaciones de luz visible y comunicación óptica es la tecnología para cambiar por completo la aplicación de luz. LEDs que soportan procesos CMOS pueden alcanzar rápidos, eficientes, baja potencia y aplicaciones LEDs verdes, eliminando el costo de muchos dispositivos de proceso.
GaN forma generalmente una o dos estructuras cristalinas, hexagonales o cubo. GaN hexagonal es térmicamente estable y es una aplicación de semiconductores tradicionales. Sin embargo, GaN hexagonal más propenso al fenómeno de la polarización, el campo eléctrico interno será negativa electrones y positrones separaron para evitar que la vinculación, dando como resultado eficiencia de salida de luz.
Hasta ahora, los investigadores sólo pueden utilizar el epitaxy de viga molecular (epitaxy de viga Molecular) para crear cuadrado GaN, este proceso es muy costoso y se compara con la MOCVD el proceso es muy lento.
Los investigadores han tenido éxito en la producción de nuevas materias primas en el armonioso proceso de silicio CMOS, que es nitruro del galio cuadrados, que se utiliza principalmente para el emisor de la onda verde.
Bayram dijo: "litografía y aguafuerte isotrópica técnicas crean surcos U fila en silicio. Esta capa de barrera no conductora juega un papel clave en la conformación de hexagonal a la Plaza. El GaN no es interno el campo eléctrico puede separar los electrones, por lo que puede haber problemas superpuestos, electrones y agujeros se combinan y hechos de luz más rápidamente.
Bayram y Liu creen que sus cristales cuadrados de GaN pueden tener éxito en lo que el LED alcanzar cero caída (droop). Verde, azul o LEDs de UV, la eficacia luminosa de estos LEDs disminuirá gradualmente con la entrada de corriente, la falta de luz llamada.
Este estudio muestra que la polarización juega un papel decisivo en el problema de la falta de luz, empuja electrones de surcos, especialmente en las corrientes de entrada baja. En el caso de polarización cero, el cuadrado LED puede alcanzar una capa más gruesa de la emisión de luz y resolver el traslapo electrón y surco reducida y sobrecarga de corriente.
Mejor LED verde con éxito abrirá nuevas aplicaciones de iluminación de estado sólido del LED. Por ejemplo, estos LEDs que emiten luz blanca mezclando y lograr ahorros de energía. Otras aplicaciones avanzadas también incluyen el uso de LED verde fluorescente no fabricación aplicaciones LED de súper paralelas de comunicación agua y, por ejemplo, óptica genética y migraña y otras aplicaciones de la biotecnología.
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